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标签:对、如果CaF晶体中,含有百万分之一的YF杂质,则在℃时,CaF晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度(CaF晶体中弗兰克尔缺陷形成能为.eV,肖特基缺陷的生成能为.eV)
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